六管SRAM存储单元之理解记录

六管SRAM存储单元电路由六个MOS管组成，分为两个互补的反相器。以下是六管SRAM存储单元电路的电路图和工作原理：  在电路中，M1-M4和M5-M6分别构成两个互补的反相器。当输入为1时，M1和M4被打开，M2和M3被关闭，电荷通过M1和M4注入到电容中，存储为1。当输入为0时，M2和M3被打开，M1和M4被关闭，电容中的电荷通过M2和M3排出，存储为0。在读取时，选择线S1和S2分别控制M1/M2和M4/M5的开关，使得其中的一个反相器输出的信号被放大并输出。这样就可以实现对存储单元的读写操作。 六管SRAM存储单元电路具有读写速度快、功耗低、体积小等优点，因此被广泛应用于各种集成电路中，如微处理器、嵌入式系统等。